中国首台国产EUV光刻机已于近日在华为东莞基地完成装机调试，正式进入芯片试产阶段。官方数据显示，该设备的核心光源效率已达到3.42%，良品率突破70%，意味着在技术性能上距离全球领先水平的差距正在快速缩小。与ASML所采用的LPP（激光产生等离子体）技术不同，中国选择了激光诱导放电电浆（LDP）这一新路线，绕开了西方的技术封锁，不仅成本更低，体积更小，而且更容易实现稳定供应。

据透露，该台设备的处理速度每小时可达250片晶圆，甚至略高于目前ASML同类设备的195片处理效率。这一突破是在国家“十四五”专项的强力支持下实现的，上海临港光刻机产业园汇聚了30余家上下游厂商，从光学镜头、激光光源、精密轴承到曝光控制等全链条进行攻坚。科益虹源、国望光学等企业在光源输出与镜头精度等关键技术上取得显著进展，为整机运行提供了核心保障。

不过，业内专家普遍认为，这还只是“拿到入场券”。即便设备实现稳定运作，能否支撑中芯国际等国内晶圆厂顺利推进7nm、5nm甚至更高制程，还需要进一步打磨。当前国产设备在精密机械、透光材料等方面仍存在依赖进口的问题，中芯国际在5nm制程上虽有初步流片成果，但良率仍在30%左右，尚不足以规模化量产。

国外科技论坛对中国EUV进展评价不一。有声音认为中国可能还需5至10年才能真正推出功能性EUV系统，也有更乐观的观点认为LDP路线可能比ASML的LPP路径更具潜力，有望在2026年前后实现试产，2027–2028年进入量产阶段。

在全球半导体格局中，ASML的高NA EUV设备仍是未来关键，其单台设备售价高达3.5亿欧元，且量产时间预计也要到2026年之后。这意味着，即使是国际巨头如Intel，也还在等待设备的稳定量产周期。中国的这次国产EUV突破，若能持续稳步推进，不仅是技术层面的“突围”，更有可能在全球产业格局中撕开一个口子。

这场技术的接力赛，不仅是速度的比拼，更是稳定性、成本控制和生态协同的综合能力较量。未来是否能够真正摆脱对ASML的依赖，取决于国产设备能否形成闭环的制造生态链，能否真正推动国内晶圆厂走向高端制程。

在这场没有硝烟的科技较量中，中国的国产EUV光刻机正以脚踏实地的姿态，慢慢从黑夜走向曙光。每一次良率提升，每一项关键零部件的国产化突破，都是向世界发出的沉稳回应。它不是突然的奇迹，而是十数年埋头苦干的沉淀结果。

这是一个时代正在沉默中转身的迹象。等真正的量产号角吹响时，或许那一天，我们已经走得比自己想象中更远了。

如夜话，至此。